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去耦电容方法二|降低电容ESL

东莞市平尚电子科技有限公司     发布日期:2021-06-25     来源:平尚     作者:平尚     浏览次数:204
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  上一篇与大家分享了去耦电容的—种,现在分享分享第二种方法。
  容值相同的情况下使用尺寸较小的电容:对于积层陶瓷电容,有时会准备容值相同但尺寸不同的封装,尺寸较小的电容基本上引脚部位也较小,一般情况下ESL较小。需要降低更高频段的噪声时,选择尺寸小的电容更好一点
   使用降低ESL的电容:
   普通电容的电极在短边侧,而LW逆转型的电极在长边侧。由于L(长度)和W(宽度)相反,故称“LW逆转型”。是通过增加电极的宽度来降低ESL的类型。三端电容是为了改善普通电容的频率特性而优化了结构的电容。这种输入输出电极和GND电极间存在电介质,起到电容的作用。由于输入输出电极的ESL不包括在接地端,接地的阻抗变得非常低。输入输出电极的ESL通过在噪声路径直接插入,有利于降低噪声。通过在长边侧成对配置GND电极,可抑制ESL;再采用并联的方式,可使ESL减半。基于这样的结构,三端电容不仅具有非常低的ESL,而且可保持低ESR,改善高频特性的成效比较大。
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